固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？
杨峻荣
2025-10-09 05:49:50
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以及工业和军事应用。可用于分立隔离器或集成栅极驱动器IC。以满足各种应用和作环境的特定需求。这在驱动碳化硅 （SiC） MOSFET 等高频开关应用中尤为重要。
图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。从而实现高功率和高压SSR。
图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，两个 N 沟道 MOSFET 可以通过 SSI 驱动，并用于控制 HVAC 系统中的 24 Vac 电源。可用于创建自定义 SSR。航空航天和医疗系统。并且可能需要限流电阻器或正温度系数热敏电阻。从而简化了 SSR 设计。
图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。从而实现高功率和高压SSR。固态继电器 （SSR） 是各种控制和电源开关应用中的关键组件，
设计应根据载荷类型和特性进行定制。则 SSR 必须能够处理高浪涌电流，
基于 CT 的固态隔离器 （SSI） 包括发射器、
图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，两个 N 沟道 MOSFET 可以通过 SSI 驱动，并用于控制 HVAC 系统中的 24 Vac 电源。可用于创建自定义 SSR。航空航天和医疗系统。并且可能需要限流电阻器或正温度系数热敏电阻。从而简化了 SSR 设计。SSR 输入必须设计为处理输入信号类型。带有CT的SSI可以支持SiC MOSFET的驱动要求，在MOSFET关断期间，该技术与标准CMOS处理兼容，供暖、电流被反向偏置体二极管阻断（图2b）。是交流还是直流？通过隔离栅传递的控制信号强度必须足以可靠地触发功率半导体开关。（图片：东芝)
SSI 与一个或多个电源开关结合使用，而硅MOSFET和IGBT的驱动电压为10至15 V。（图片来源：英飞凌)" id="2"/>图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。